Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (69)
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
0.13A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 090 684 шт
Цена от:
от 1,02₽
BSS84W-7-F
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.13A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Входная емкость:
45пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUZ11_NR4941
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BVSS138LT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
BVSS84LT1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 130мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
2.2нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN53D0LW-7
Транзистор полевой N-канальный 50В 0.36A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
320мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
1.2нКл
Входная емкость:
45.8пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN55D0UT-7
Полевой транзистор N-канальный 50В 0.16A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Входная емкость:
25пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
0.16A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
DMN5L06K-7
Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 300 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
0.3A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9Z20PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.7 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF9Z30PBF
Транзистор полевой P-канальный 50В 18A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
74Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD020PBF
Транзистор полевой N-канальный 50В 2.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFD9010PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DIP-4
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFR9010PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 5.3 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRFR9010TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 5.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR9020PBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR9020TRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU9020PBF
Транзистор полевой P-канальный 50В 9.9A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
Leshan Radio Company, Ltd
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
536 287 шт
Цена от:
от 0,69₽
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара