Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
WM06P17MR
Транзистор полевой MOSFET P-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 1.7А
Производитель: Wayon
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.7А
Тип транзистора: P-канальный
WMB52N06T1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 52А
Производитель: Wayon
Корпус: PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 52А
Тип транзистора: N-канальный
WMO060N06LG2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 60В, ток стока 75А
Производитель: Wayon
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 75А
Тип транзистора: N-канальный
WMO80P06TS
Транзистор полевой MOSFET силовой 60В P-канальный 80А
Производитель: Wayon
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80А
Тип транзистора: P-канальный
YJD25GP06A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 25A TO-252
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 25А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
YJD50GP06A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 50A TO-252
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
YJD50N06A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A TO-252
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
YJG175G06AR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 175A
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: PDFN5*6
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 175А
Тип транзистора: N-канальный
YJS05N06A
Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт
Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5А
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канальный
2N7002
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт
Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 200мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2N7002,215
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SJ162 + 2SK1058 (пара)
Транзистор полевой MOSFET N+P-канальный (пара), 160В 7А 100Вт
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 100 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SJ598
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 23Вт
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12А
Мощность макс.: 23 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SK2925S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10А 20Вт
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 10A
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3065
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2А 0.5Вт
Производитель: ROHM
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2A
Мощность макс.: 0.5Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK3065T100
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2A SOT-89
Производитель: ROHM
Корпус: MPT3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2А
Тип транзистора: N-канальный
2SK3662
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35А 35Вт (рекомендуемая замена: TK40A06N1, TK30A06N1, TK40E06N1)
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 35A
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
30N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30А
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30А
Тип транзистора: N-канальный
AP9971GH
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25А 39Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-252
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 25A
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
AP9972GR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 89Вт
Производитель: Advanced Power Electronics Corp.
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 60A
Мощность макс.: 89Вт
Тип транзистора: N-канал
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.