Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FDMS86350ET80
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 155нКл
Входная емкость: 10680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDS3572
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 8.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 8.9A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 41нКл
Входная емкость: 1990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDS3580
Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6А 2.5Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 7.6A
Сопротивление открытого канала: 29 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDS3590
Транзистор полевой N-канальный 80В 6.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 1180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDWS86369-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 65А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
FQA160N08
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 160 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 160A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 290нКл
Входная емкость: 7900пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF75545P3
Транзистор полевой N-канальный 80В 75A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 235нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Through Hole
HUF75545S3ST
Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 270Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 235нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IPB025N08N3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPB030N08N3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 160A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 160А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IPD135N08N3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 45A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK-3
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 45A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IPP020N08N5AKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IPP028N08N3GXKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 100А
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.