Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

HUF75332P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 60A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 145Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 85нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75339P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF75344G3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75344P3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 285Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345G3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75345S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 325Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 275нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75545P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75545S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 270Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 235нКл Входная емкость: 3750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75645P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75645S3ST Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 3790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75652G3 Транзистор полевой N-канальный 100В 75A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 515Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 475нКл Входная емкость: 7585пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 180A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 1.1 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 17940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD100N04S402ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3-313 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 9430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP120N20NFDAKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 84 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 84A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 6650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R045C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 46A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 225 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 996пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"