Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (775)

MCH3475-TL-E Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMD3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 88пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MCH3478-TL-W Полевой транзистор N-канальный 30В 2A 3-Pin MCPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS351AN Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.8нКл Входная емкость: 145пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS351N Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS352AP Транзистор полевой P-канальный 30В 900мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS355AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.7А 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS355N Транзистор полевой N-канальный 30В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 245пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS356AP Транзистор полевой P-канальный 30В 1.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 4.4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT451AN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT452AP Транзистор полевой P-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT454P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT456P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTA7002NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 154мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75/SOT-416 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 154мА Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N03L27T4G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 18.9нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD25P03LT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 25А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1.43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4809NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF5P03T3G Транзистор полевой P-канальный 30В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3455T1G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"