Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
FQPF70N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 35 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3300пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1245пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 693 шт
Цена от:
от 22,54
FQPF85N06 Транзистор полевой N-канальный 60В 53A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 53A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 62Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4120пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.26A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N25CT Транзистор полевой N-канальный 250В 8.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF9N50CF Транзистор полевой N-канальный 500В 9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 44Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole
FQT13N06TF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT1N60CTF_WS Транзистор полевой N-канальный 600В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT5P10TF Транзистор полевой P-канальный 100В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT7N10TF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQU10N20CTU Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU11P06TU Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU1N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU2N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU3N50CTU Транзистор полевой N-канальный 500В 2.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU5N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole
HUF75321D3ST Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Surface Mount
HUF75321P3 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 93Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция HUF75329D3ST Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 128Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"