Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
STQ1HNK60R-AP Транзистор полевой N-канальный 600В 400мА Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Through Hole
STQ1NK60ZR-AP Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 15 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 6.9нКл Входная емкость: 94пФ Тип монтажа: Through Hole
STQ2HNK60ZR-AP Полевой транзистор N-канальный 600В 0.5A 3-Pin TO-92 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole
STS1NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 15 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 6.9нКл Входная емкость: 94пФ Тип монтажа: Surface Mount
STU10NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Through Hole
STU13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Through Hole
STU13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
STU7N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 271пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STU7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Through Hole
STU9N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 5.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 780 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Through Hole
STW13NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2030пФ Тип монтажа: Through Hole
STW18NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 285 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW20NM60FD Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
STW24N60M2 MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 9А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1060пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
Акция STW25NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
STW33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STW34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STW36NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STW40N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 34A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
STW43NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 35А 255Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"