Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (775)
IRLL2703TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 3.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 3.9А, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 14нКл @ 5В Входная емкость: 530пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLL3303PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 4.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
472 шт
Цена от:
от 312,57
IRLMS5703TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 2.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6[тм](TSOP-6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR2703TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 23 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR3103PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 55А 69Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 887 шт
Цена от:
от 150,44
IRLR4132TRPBF МОП-транзистор, N-канальный, 78 А, 30 В, 0.0025 Ом, 10 В, 2.35 В, [TO-252] Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 78А Сопротивление открытого канала: 0.0025Ом Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7807ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
151 шт
Цена от:
от 61,01
IRLR7821PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 65A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR7833PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 469 шт
Цена от:
от 82,46
Акция IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 161A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
26 672 шт
Цена от:
от 12,91
IRLR7843TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 161A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 4.5В Входная емкость: 4380пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8103VPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 91 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 91A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2672пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8721PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 65 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
69 256 шт
Цена от:
от 13,06
IRLR8729PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLR8729TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 766 шт
Цена от:
от 8,27
IRLU8726PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 86 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Through Hole
JMTC3003A Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 30В 150A 3.3мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150А Сопротивление открытого канала: 3.4мОм Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
311 шт
Цена от:
от 86,11
JMTK3003A Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 30В 150A 3.4мОм Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd. Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150А Сопротивление открытого канала: 3.4мОм Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 883 шт
Цена от:
от 42,86
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"