Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (749)

NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT014L Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 214пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT2955 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 601пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT3055 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT3055L Транзистор полевой N-канальный 60В 4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 345пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTB25P06T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 27.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 27.5A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD18N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 1.36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD20N06T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 46 мОм Мощность макс.: 1.88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD24N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 24A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1140пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD2955-1G Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD2955T4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 55Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-094T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5862NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 98 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 98A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5867NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7А 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.3нКл Входная емкость: 492пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"