Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP6180SK3-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCD600N60Z Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH47N60NF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 45.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 45.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 368Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 157нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB035AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 6400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 7295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB082N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 117A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 117A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 231Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 6040пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB110N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 92 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 92A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 234Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 25A(Ta),120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 80А, 10В Мощность макс.: 188Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 185нКл @ 10В Входная емкость: 9310пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 60Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 2620пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.1A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3545пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB86102LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 30A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1275пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB8896 Транзистор полевой N-канальный 30В 93A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 2525пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC2512 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 425 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 344пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3512 Транзистор полевой N-канальный 80В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 634пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 183 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3612 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"