Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
STP11NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole
STP13N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Through Hole
STP13NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 109Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24.5нКл Входная емкость: 845пФ Тип монтажа: Through Hole
STP18N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21.5нКл Входная емкость: 791пФ Тип монтажа: Through Hole
STP20NM60FD Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
STP22NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
STP23NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 19.5А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 19.5A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Through Hole
STP24N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole
STP28N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 24 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1370пФ Тип монтажа: Through Hole
STP33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STP34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 210Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2722пФ Тип монтажа: Through Hole
STP34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 210Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STP35N60DM2 Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 28А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STP3NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole
STP3NK60ZFP Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole
STP40N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 34 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
STP5N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Through Hole
STP5NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
STP6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Through Hole
STP9NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 745 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.4нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"