Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
DMP2066UFDE-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 6.2A автомобильного применения 6-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN6 2020 (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14.4нКл Входная емкость: 1537пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP210DUFB4-7 Полевой транзистор P-канальный 20В 0.2A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN1006-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160UW-7 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 1.17A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 770мА Сопротивление открытого канала: 495 мОм Мощность макс.: 430мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 1.54нКл Входная емкость: 80пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D2UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.33A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 330мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 49пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D5UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 970 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 500нКл Входная емкость: 46.1пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3020LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1802пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMP3028LK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 27A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 27A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1241пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
DMP3050LVT-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3056L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.38Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 11.8нКл Входная емкость: 642пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3056LDM-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.3A Aвтомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 21.1нКл Входная емкость: 948пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3065LVT-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.9A TSOT-26 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 12.3нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3099L-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3099L-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.08Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 563пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3130L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 432пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP31D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 30В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP32D4S-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 51.16пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4015SPS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 8.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI5060-8 (4.9x5.8) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 47.5нКл Входная емкость: 4234пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4025LK3-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 6.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"