Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
STF2HNK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Through Hole
STF33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Through Hole
STF34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Through Hole
STF36N60M6 Транзистор полевой N-канальный 600В 30A Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 30А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STF40N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 34A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 88 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 57нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF5N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 1.85А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 4.5нКл @ 10В Входная емкость: 165пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Through Hole
STF7N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 271пФ Тип монтажа: Through Hole
STF7NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 4.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Through Hole
STF9N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 780 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 320пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF9NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 745 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.4нКл Входная емкость: 452пФ Тип монтажа: Through Hole
STFW24N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole
STI24N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STL13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL13NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL18NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 310 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
STL25N60M2-EP Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STL26NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 19A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 125мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.5нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Through Hole
STP11NM60FD Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"