Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (775)

Акция

IRF9333PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Multiwatt Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 434 шт

Цена от:

от 7,28₽

IRF9383MTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 22A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A(Ta),160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 150 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 7305пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9388PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 30 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 27нКл @ 10В Входная емкость: 550пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH3702TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.1 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH3707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A(Ta),29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA Заряд затвора: 8.1нКл @ 4.5В Входная емкость: 755пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5302TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 76нКл @ 10В Входная емкость: 4400пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 50 µA Заряд затвора: 41нКл @ 10В Входная емкость: 2360пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7914TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7932TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 24 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8307TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 42A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 7200пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 50A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8330TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A(Ta),56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFHM830TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21А Сопротивление открытого канала: 6мОм Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFHS8342TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFP3703PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 210A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 210A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 209нКл Входная емкость: 8250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR3303TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 33A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 31 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 750пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3707ZPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

81 шт

Цена от:

от 58,12₽

IRFR3708TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 87Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 2417пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"