Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

IRFR3710ZTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 33А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 10В Входная емкость: 2930пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16А 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 310 шт

Цена от:

от 16,72₽

Акция

IRFR3910TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 310 шт

Цена от:

от 22,42₽

IRFR3910TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A(Tc) Сопротивление открытого канала: 115 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 310 шт

Цена от:

от 16,72₽

Акция

IRFR540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 100 шт

Цена от:

от 52,76₽

IRFR540ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 100 шт

Цена от:

от 40,11₽

IRFR5410TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

21 182 шт

Цена от:

от 31,25₽

Акция

IRFR9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR9120NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

14 920 шт

Цена от:

от 28,31₽

IRFR9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4010TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 88A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"