Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRLZ44PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLZ44SPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLZ44STRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 3.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 3300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IXFH16N80P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 16A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 16A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 500mА, 10В
Мощность макс.: 460Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA
Заряд затвора: 71нКл @ 10В
Входная емкость: 4600пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N60P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IXFH22N65X2
Полевой транзистор N-канальный 650В 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 390Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±30В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 2310пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFH26N50P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD (IXFH)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFH46N65X2
Полевой транзистор N-канальный 650В 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Производитель: IXYS Corporation
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 76 мОм
Мощность макс.: 660Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±30В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 4810пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFH88N30P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 88A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD (IXFH)
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 88A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.: 600Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 4mA
Заряд затвора: 180нКл @ 10В
Входная емкость: 6300пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXFK160N30T
Транзистор полевой N-канальный 300В 160A TO-264
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 160A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 19 мОм @ 60А, 10В
Мощность макс.: 1390Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA
Заряд затвора: 335нКл @ 10В
Входная емкость: 28000пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXFK200N10P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264AA (IXFK)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 200A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 830Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 8mA
Заряд затвора: 235нКл @ 10В
Входная емкость: 7600пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXFK44N80P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 44A
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
IXFK80N60P3
Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-264
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 1300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 13100пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.