Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
FQD2N60CTM Транзистор полевой N-канальный 600В 1.9А 4.7 Ом, 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD3N60CTM_WS Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 565пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD5N15TM Полевой транзистор N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD5P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N40CTM Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 625пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N50CTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 5.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 451 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQN1N50CTA Транзистор полевой N-канальный 500В 380мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 380мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 890мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Through Hole
FQN1N60CTA Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP10N20C Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 72Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP11N40C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5А 0.43 Ом, 135Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP11P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 11.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 53Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQP12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP12P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP13N50C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 195Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2055пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP17P06 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP17P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP19N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19А 139Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 53нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"