Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFP140NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP140PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 31A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150MPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP150PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 41A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 41A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4820пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6160пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP9140PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 21А 180Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR110TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120TRRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR120ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7А 35Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 280 шт

Цена от:

от 39,10₽

IRFR3411PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

497 шт

Цена от:

от 59,66₽

Акция

IRFR3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

6 447 шт

Цена от:

от 69,15₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"