Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRLL014NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL014TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL024NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 15.6нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL024ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL110
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5A SOT223
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT-223
IRLL110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL2703TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.9A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 3.9А, 10В
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA
Заряд затвора: 14нКл @ 5В
Входная емкость: 530пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL2705PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL3303PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.6A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 4.6A
Сопротивление открытого канала: 31 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLML0060
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А [SOT-23-3]
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRLML2402GTRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.2 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML2502GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML2502TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.2 А, 0.8 Вт, 0.045 Ом
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRLML5103
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.76А 0.54Вт, 0.6 Ом
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRLML5203GTRPBF
Полевой транзистор P-канальный -30В -3A SOT-23
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML6246TR
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3Вт 4.1A SOT-23
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT23-3
IRLML6302GTRPBF
Полевой транзистор P-канальный -20В -0.78A SOT-23
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
IRLML6401
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт
Производитель: Huashuo Semiconductor
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 12В
Ток стока макс.: 4.3А
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRLML6401GTRPBF
Полевой транзистор P-канальный 12В 4.3A SOT-23-3
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.