Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
IRLH5030TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PQFN (5x6) Single Die
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 94нКл
Входная емкость: 5185пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLH6224TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 28A PQFN 5X6
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: 8-PQFN (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 28A(Ta),105A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 20А, 4.5В
Мощность макс.: 3.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 50 µA
Заряд затвора: 86нКл @ 10В
Входная емкость: 3710пФ @ 10В
Тип монтажа: Surface Mount
IRLHM620TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 26A PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 26А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRLHS6376TRPBF
Полевой транзистор 2N-канальный 30В 3.6A PQFN
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.6A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRLI2910PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 63Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI2910PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 63Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRLI3705NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB Full-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 58Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI3705NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB Full-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 58Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRLI530GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 930пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI530GPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.7A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 930пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI530NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB Full-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 41Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI540G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт 0.044 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 64нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI540NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 44 мОм
Мощность макс.: 54Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLI640GPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.9A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRLIZ14GPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 8A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 27Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRLL014NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL014NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 915 шт
Цена от:
от 23,35₽
IRLL014TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 8.4нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRLL024NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 15.6нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL024NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 15.6нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
16 503 шт
Цена от:
от 26,93₽
Акция
![]()
IRLL024ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL024ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 908 шт
Цена от:
от 48,56₽
Акция
![]()
IRLL110
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5A SOT223
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT-223
IRLL110
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5A SOT223
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT-223
IRLL110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6.1нКл
Входная емкость: 250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL2703TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.9A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.9A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 3.9А, 10В
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA
Заряд затвора: 14нКл @ 5В
Входная емкость: 530пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRLL2705PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLL2705PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 870пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
11 595 шт
Цена от:
от 27,28₽
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара