Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 10В Входная емкость: 700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ34PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 852 шт
Цена от:
от 56,53
IRFZ44ESTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 852 шт
Цена от:
от 42,27
Акция IRFZ44NS Транзистор полевой MOSFET 60В 50A N-канальный Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 529 шт
Цена от:
от 35,55
Акция IRFZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 529 шт
Цена от:
от 66,86
IRFZ44NSTRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 49 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRFZ44PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44RPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFZ44SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
IRFZ44STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44VZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFZ44VZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 57A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFZ44ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ44ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ46NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 1696пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFZ46ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.6 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1460пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFZ48NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
975 шт
Цена от:
от 105,13
IRFZ48PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"