Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFZ44ZSTRRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 51A
Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм
Мощность макс.: 80Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 43нКл
Входная емкость: 1420пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ46NLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 53A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 72нКл @ 10В
Входная емкость: 1696пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFZ46ZSTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 51A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 51A
Сопротивление открытого канала: 13.6 мОм
Мощность макс.: 82Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 46нКл
Входная емкость: 1460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ48NSPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 64A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 81нКл
Входная емкость: 1970пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFZ48PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 50 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
IRFZ48RPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFZ48VPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 72А 190Вт, 0.018 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 72A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 1985пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRG7PH35UD-EP
Транзистор биполярный IGBT 1200В 50A COPAK247
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1200В
Ток стока макс.: 50А
Тип монтажа: Through Hole
IRL1404ZSPBF
Транзистор полевой N-канальный 40В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5080пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL1404ZSTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 40В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5080пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL2203NSPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 116 А, 3.8 Вт, 0.007 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRL2203NSTRLPBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 116A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL2505SPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 104A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 5000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL2703PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 24А 45Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL2910SPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 55А 200Вт, 0.026 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 55A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL3103STRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 64A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 64A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 94Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 33нКл @ 4.5В
Входная емкость: 1650пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRL3705NSPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 89 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRL3705ZLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 52А, 10В
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA
Заряд затвора: 60нКл @ 5В
Входная емкость: 2880пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRL3705ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 130Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 2880пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL3705ZSPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.