Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

DMN2075U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2100UDM-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 4A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 555пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2230U-7 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 188пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2300UFB4-7B Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.6нКл Входная емкость: 64.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2600UFB-7 Транзистор полевой N-канальный 25В 1.3A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.85нКл Входная емкость: 70.13пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.24A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN26D0UT-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Входная емкость: 14.1пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFA-7B Полевой транзистор N-канальный 20В 0.51A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 3-X2-DFN0806 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 510мА Сопротивление открытого канала: 990 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.5нКл Входная емкость: 27.6пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN2990UFZ-7B Транзистор полевой N-канальный 20В 0.25A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0606-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 990 мОм Мощность макс.: 320мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.5нКл Входная емкость: 55.2пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3010LK3-13 Полевой транзистор N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.1A(Ta),43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 18А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 37нКл @ 10В Входная емкость: 2075пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3016LFDE-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25.1нКл Входная емкость: 1415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3016LFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25.1нКл Входная емкость: 1415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3026LVT-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3032LE-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 5.6A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 498пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3065LW-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 770мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 465пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3110S-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 73 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 305.8пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3150L-7 Транзистор полевой N-канальный 28В 3.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 28В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3150LW-7 Полевой транзистор, N-канальный, 28 В, 1.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 28В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN32D2LFB4-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 300мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом @ 100mА, 4В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Входная емкость: 39пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"