Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 36нКл @ 10В Входная емкость: 1510пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A(Ta),63A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 3152пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFI4110GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 43А, 10В Мощность макс.: 61Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 290нКл @ 10В Входная емкость: 9540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4410ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 47Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4910пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4510GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Full-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 2998пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI510GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI520GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI530GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI540GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI9520GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

14 424 шт

Цена от:

от 26,03₽

Акция

IRFL9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFL9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"