Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
IRFR014TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR020TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR024TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 689 шт
Цена от:
от 43,10
Акция IRFR3806PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 43А 71Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 170 шт
Цена от:
от 43,99
Акция IRFR9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 5.1А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
96 шт
Цена от:
от 394,00
Акция IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
485 шт
Цена от:
от 146,97
Акция IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 752 шт
Цена от:
от 152,42
Акция IRFS3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 101 шт
Цена от:
от 98,47
IRFS7530-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 354нКл Входная емкость: 12960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 600 шт
Цена от:
от 225,03
IRFS7534TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA Заряд затвора: 279нКл @ 10В Входная емкость: 10034пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA Заряд затвора: 210нКл @ 10В Входная емкость: 7020пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7540TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 4555пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"