Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
IRFSL7440PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 4730пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU014PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 7.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU024PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU110PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 540 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.3нКл
Входная емкость: 180пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU1205PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 44A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.: 107Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1300пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFU120PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU13N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 13A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 235 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 830пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFU1N60APBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.4 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 1.4A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 229пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU210PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU214PBF
Транзистор полевой N-канальный 250В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 140пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU220NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 43Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU220PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 4.8A
Сопротивление открытого канала: 800 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 260пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU2405PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 56A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 2430пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
IRFU310PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU310PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 170пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU320PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 3.1А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU3410PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 39 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1690пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU3607PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU3910PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 115 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 44нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU4105ZPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
IRFU4105ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 30А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара