Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFS7434TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1 мОм
Мощность макс.: 245Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 315нКл
Входная емкость: 10250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7434TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA
Заряд затвора: 324нКл @ 10В
Входная емкость: 10820пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7437-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 231Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 231Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 225нКл
Входная емкость: 7437пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7437PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7440PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-263 (DВІPak)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 4730пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7530-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 354нКл
Входная емкость: 12960пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7534TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 294Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 250 µA
Заряд затвора: 279нКл @ 10В
Входная емкость: 10034пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7537TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 173A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 150 µA
Заряд затвора: 210нКл @ 10В
Входная емкость: 7020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7540TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 110A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 65А, 10В
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В @ 100 µA
Заряд затвора: 130нКл @ 10В
Входная емкость: 4555пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 407нКл
Входная емкость: 13660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7730TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 407нКл
Входная емкость: 13660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7734-7PPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
IRFS7734PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 76 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 76A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
IRFSL11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1426пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3006PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 300нКл
Входная емкость: 8970пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.