Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
IRFS7730TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS7734-7PPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK (TO-263AB)
IRFS7734PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 183 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787PBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 76 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263
IRFS7787TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 76A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 76A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS9N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS9N60ATRRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9.2 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263
Акция IRFSL11N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1426пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL3607PBF MOSFET N-CH 75V 80A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK
IRFSL3806PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 43 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK
IRFSL4010PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 215нКл Входная емкость: 9575пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 150нКл @ 10В Входная емкость: 5380пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 250 µA Заряд затвора: 324нКл @ 10В Входная емкость: 10820пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRFSL7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"