Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFS4310PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 130A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 7670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4310TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 130A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 7670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4310ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 6860пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 85A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4321TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 86A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 350Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 4460пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4410TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 88A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 88A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 5150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4410ZPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 97 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS450B
Транзистор полевой N-канальный 500В 9.6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 9.6A
Сопротивление открытого канала: 390 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 113нКл
Входная емкость: 3800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFS4510PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DBІPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 61A
Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 87нКл
Входная емкость: 3180пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4510TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 61A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 37А, 10В
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 87нКл @ 10В
Входная емкость: 3180пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4610PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 73A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 3550пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4615PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 33 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS4620PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 144Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 38нКл
Входная емкость: 1710пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS52N15DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 51A
Сопротивление открытого канала: 32 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 89нКл
Входная емкость: 2770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS52N15DTRRP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 51A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 32 мОм @ 36А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 89нКл @ 10В
Входная емкость: 2770пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS5615TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.: 144Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA
Заряд затвора: 40нКл @ 10В
Входная емкость: 1750пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS59N10DPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100V
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 25 mOhm
Мощность макс.: 3.8W
Тип транзистора: N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5V
Заряд затвора: 114nC
Входная емкость: 2450pF
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS630B
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.9 А, 35 Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
IRFS644A
Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 43Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
IRFS7430-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 460нКл
Входная емкость: 13975пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.