Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6838)
IRFS3207PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 170A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 260нКл
Входная емкость: 7600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3207ZPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS3207ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6920пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 4520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 4520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 752 шт
Цена от:
от 156,28₽
IRFS3307TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 180нКл @ 10В
Входная емкость: 5150пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307ZTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS33N15DTRLP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 56 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 90нКл @ 10В
Входная емкость: 2020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3607PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3607PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
600 шт
Цена от:
от 151,17₽
Акция
![]()
IRFS3806PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм
Мощность макс.: 71Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3806PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм
Мощность макс.: 71Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 101 шт
Цена от:
от 100,41₽
IRFS38N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 54 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 91нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 913 шт
Цена от:
от 145,13₽
IRFS38N20DTRRP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 43A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 91нКл @ 10В
Входная емкость: 2900пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4010PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS4010TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 230нКл @ 10В
Входная емкость: 9830пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4020TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 18A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA
Заряд затвора: 29нКл @ 10В
Входная емкость: 1200пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS4115PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 5270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4115PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 5270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 654 шт
Цена от:
от 193,68₽
IRFS4115TRL7PP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 105A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 110нКл @ 10В
Входная емкость: 5320пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS4127PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 72A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 5380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4127PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 72A
Сопротивление открытого канала: 22 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 5380пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 474 шт
Цена от:
от 115,98₽
Акция
![]()
IRFS4227PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 62A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4227PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 62A
Сопротивление открытого канала: 26 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 4600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 372 шт
Цена от:
от 111,18₽
Акция
![]()
IRFS4229PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 48 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4229PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 48 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 853 шт
Цена от:
от 258,86₽
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара