Одиночные MOSFET транзисторы

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6817)

IRFS38N20DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4010PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRFS4010TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4020TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1200пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4115PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

663 шт

Цена от:

от 169,77₽

IRFS4115TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 105A D2PAK-7 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 11.8 мОм @ 63А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 5320пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4127PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 72А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 608 шт

Цена от:

от 116,61₽

Акция

IRFS4227PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 62А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 925 шт

Цена от:

от 119,59₽

Акция

IRFS4229PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 45А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 626 шт

Цена от:

от 226,38₽

IRFS4310PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 130A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 7670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4310ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4321PBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4321TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 86A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.7 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 350Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 4460пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 88A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4410ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 97 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRFS4410ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS450B Транзистор полевой N-канальный 500В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 390 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 113нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4510PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 61 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4510TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 61A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 3180пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"