Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6828)

Акция

IRFS3004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

104 шт

Цена от:

от 311,73₽

IRFS3006-7PPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 240 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK (7-Lead)

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3006PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

96 шт

Цена от:

от 394,00₽

Акция

IRFS3107-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

51 шт

Цена от:

от 764,77₽

IRFS3107PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3107TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 9370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS31N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3206PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

513 шт

Цена от:

от 146,97₽

IRFS3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRFS3207ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6920пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 752 шт

Цена от:

от 148,54₽

IRFS3307TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 180нКл @ 10В Входная емкость: 5150пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3307ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS33N15DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 56 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 90нКл @ 10В Входная емкость: 2020пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS3607TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS3806PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

301 шт

Цена от:

от 95,83₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"