Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFR9214PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9214TRLPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 2.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR9214TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7А 50Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220PBF
Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220TRLPBF
Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220TRRPBF
Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR9310PBF
MOSFET P-CH Si 400V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.8А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 7 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9N20DPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.4A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 86Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.0А 42Вт, 4.4 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFRC20TRRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFS11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 520 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1423пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS23N20DTRLP
Транзистор полевой N-канальный 200В 24A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 24A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 86нКл @ 10В
Входная емкость: 1960пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3004-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 380Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9130пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3004PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.