Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (6828)
Акция
![]()
IRFS3004PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3004PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 380Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.75 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
104 шт
Цена от:
от 311,73₽
IRFS3006-7PPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 240 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK (7-Lead)
Акция
![]()
IRFS3006PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 300нКл
Входная емкость: 8970пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3006PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 300нКл
Входная емкость: 8970пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
96 шт
Цена от:
от 394,00₽
Акция
![]()
IRFS3107-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3107-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 240А 370Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
51 шт
Цена от:
от 764,77₽
IRFS3107PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3107TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 195A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 240нКл
Входная емкость: 9370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS31N20DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 107нКл
Входная емкость: 2370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS31N20DTRLP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 82 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 107нКл
Входная емкость: 2370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3206PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 6540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3206PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 300Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 170нКл
Входная емкость: 6540пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
513 шт
Цена от:
от 146,97₽
IRFS3207PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 170A
Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 260нКл
Входная емкость: 7600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3207ZPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
IRFS3207ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6920пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 4520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3306PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 230Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 4520пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 752 шт
Цена от:
от 148,54₽
IRFS3307TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 180нКл @ 10В
Входная емкость: 5150пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3307ZTRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 4750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS33N15DTRLP
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 150В
Ток стока макс.: 33A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 56 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 90нКл @ 10В
Входная емкость: 2020пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3607PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3607PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3607TRLPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 84нКл
Входная емкость: 3070пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Акция
![]()
IRFS3806PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм
Мощность макс.: 71Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFS3806PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 15.8 мОм
Мощность макс.: 71Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт
Под заказ:
0 шт
Аналоги:
301 шт
Цена от:
от 95,83₽
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара