Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6846)
IRFR9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9020TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 9.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
286 835 шт
Цена от:
от 11,71
IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
286 835 шт
Цена от:
от 11,71
IRFR9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9024TRRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8.8 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRFR9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9110TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9110TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3.1A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9120NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 220 шт
Цена от:
от 26,53
IRFR9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9120TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9210TRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR9210TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9214PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"