Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6846)
IRFR5305TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
52 541 шт
Цена от:
от 17,48
Акция IRFR540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 760 шт
Цена от:
от 52,27
IRFR540ZPBF Производитель: VBsemi Semiconductor (Taiwan) Co., Ltd.
IRFR540ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 91Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 28.5 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 1690пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 760 шт
Цена от:
от 40,11
IRFR5410TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
52 672 шт
Цена от:
от 31,87
Акция IRFR5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт, 0.11 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 884 шт
Цена от:
от 32,72
Акция IRFR6215PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 206 шт
Цена от:
от 60,45
IRFR6215TRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 6.6А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 66нКл @ 10В Входная емкость: 860пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR7446TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 56A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм @ 56А, 10В Мощность макс.: 98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 130нКл @ 10В Входная емкость: 3150пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFR7546PBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 56 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK
Акция IRFR7740PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 89A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 126нКл Входная емкость: 4430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
673 шт
Цена от:
от 149,35
Акция IRFR7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 11.2 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 3107пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR7746TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IRFR812PBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR812TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR825PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR825TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9010TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 5.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 5.1А 25Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"