Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6846)
IRFR4104TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 89нКл @ 10В Входная емкость: 2950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR4105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 969 шт
Цена от:
от 23,69
IRFR4105TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 969 шт
Цена от:
от 17,61
IRFR4105ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 740пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4105ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 24.5 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 740пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR420A Транзистор полевой N-канальный 500В 2.3A Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR420ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4А 42Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR420TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 2.4A DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.4А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR430APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 110Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.7 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR430ATRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR430ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.7 Ом Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4510PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR4615PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 203 шт
Цена от:
от 60,16
Акция IRFR4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 408,94
IRFR48ZPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 91Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
52 491 шт
Цена от:
от 17,48
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"