Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
КП501А
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 10 Ом
Производитель: Интеграл, Минск
Напряжение исток-сток макс.: 240В
Ток стока макс.: 1A
Сопротивление открытого канала: 10Ом
Тип транзистора: N-канал
КП504А
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 28 Ом
Производитель: Россия
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Сопротивление открытого канала: 28Ом
Тип транзистора: N-канальный
2N7002
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A(постоянный), 0.8A(импульсный) 0.2Вт
Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 115мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 200мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2N7002,215
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2N7002P,215
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.36A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 360мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
Заряд затвора: 0.8нКл
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
2SJ162
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 160В 7А 100Вт
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 160В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: P-канал
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
2SJ162 + 2SK1058 (пара)
Транзистор полевой MOSFET N+P-канальный (пара), 160В 7А 100Вт
Производитель: RENESAS Electronics Corp.
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7A
Мощность макс.: 100 Вт
Тип транзистора: N-канал
2SJ449
Транзистор полевой MOSFET P-канальный -250В -6А 0.8 Ом, 35Вт
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 6A
Мощность макс.: 35 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SJ512
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 5А 30Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 5A
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SJ516
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 35Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 6.5A
Мощность макс.: 35 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SJ584
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.5А 25Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 4.5A
Мощность макс.: 25 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SJ585
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 6.5А 30Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 6.5A
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SJ598
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 12А 23Вт
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12А
Мощность макс.: 23 Вт
Тип транзистора: P-канал
2SK1602
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.8А 40Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.8A
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2038
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5А 125Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5A
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2043
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 25Вт
Производитель: Sanyo Semiconductors
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2A
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2057
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 150Вт
Производитель: Toshiba Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2275
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 3.5А 35Вт
Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd.
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3.5A
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
2SK2475
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 50Вт
Производитель: Shindengen
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 12A
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.