Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6838)
IRFR024TRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRFR024TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 14A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 100 шт
Цена от:
от 100,50
IRFR1010ZTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 42А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 95нКл @ 10В Входная емкость: 2840пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 559 шт
Цена от:
от 43,98
IRFR110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR110TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44А 107Вт, 0.027 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
21 881 шт
Цена от:
от 38,76
Акция IRFR1205TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: TO-252
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
34 163 шт
Цена от:
от 14,89
IRFR1205TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
21 881 шт
Цена от:
от 38,76
Акция IRFR120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA
Новинка IRFR120NTR MOSFET N-CH 100V 9.4A Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
Акция IRFR120NTR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.4A DPAK Производитель: UMW Youtai Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR120PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120TRRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR120ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7А 35Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR120ZTRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 8.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"