Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6845)
Акция IRFP450APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2038пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP450LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 190Вт, 0.4 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP460APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP460APBFXKMA1 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247
IRFP460BPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 3094пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP460LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP460PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт, 0.27 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP4710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72А 190Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 6160пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP9140PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 21А 180Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP9240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 12А 150Вт, 0.55 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC40PBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC50APBF Транзистор полевой N-канальный 600В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 580 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC50LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPC50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 180Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPC60LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPC60PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16А 280Вт, 0.40 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPE30PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFPE40PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.4А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFPE50PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68495 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"