Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFPE40PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.4А 150Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPE50PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 7.8A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF30PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 78нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF40PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 4.7A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 4.7A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPF50PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 6.7А 190Вт, 1.6 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 6.7A
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 200нКл
Входная емкость: 2900пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPG30PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 80нКл
Входная емкость: 980пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPG40PBF
Транзистор полевой N-канальный 1000В 4.3A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPG50PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 1000В
Ток стока макс.: 6.1A
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 2800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPS37N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 36А 446Вт, 0.13 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: Super-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 446Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 5579пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPS3810PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 170А 580Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: Super-247 (TO-274AA)
IRFPS38N60LPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 38 А
Производитель: Vishay
Корпус: Super-247 (TO-274AA)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 540Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 320нКл
Входная емкость: 7990пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPS40N50LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 46А 540Вт
Производитель: Vishay
Корпус: Super-247 (TO-274AA)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 540Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 380нКл
Входная емкость: 8110пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPS40N60KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 40А 570Вт
Производитель: Vishay
Корпус: Super-247 (TO-274AA)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 570Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 330нКл
Входная емкость: 7970пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFPS43N50KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 47А 540Вт
Производитель: Vishay
Корпус: Super-247 (TO-274AA)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 540Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 350нКл
Входная емкость: 8310пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFR014PBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7А 25Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR014TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 60В 7.7A
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.7A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 300пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR020TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 640пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR024NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.075 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
IRFR024NTRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 370пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.