Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6838)
IRFP244PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP250MPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 2159пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP250PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP254NPBF Полевой транзистор, N-канальный, 250В 23А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC
Акция IRFP254PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 140 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 10В Входная емкость: 2700пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP260PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP264PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP26N60LPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 5020пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP27N60KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 27А 500Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 4660пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC (High Voltage) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP32N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 5280пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP340PBF Транзистор полевой N-канальный 400В 11А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC
IRFP350LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP350PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP4137PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 69 мОм Мощность макс.: 341Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 5168пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP4242PBF Полевой транзистор, N-канальный, 300В 46А 430Вт (Replacement: IRFB4137PBF) Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 59 мОм Мощность макс.: 430Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 247нКл Входная емкость: 7370пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A Производитель: Vishay Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4820пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"