Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFL9014TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8А 2Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 500 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL9110PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFL9110TRPBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.1А 3.1Вт
Производитель: Vishay
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.1A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 8.7нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFM120ATF
Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 2.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 480пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFML8244TRPBF
Транзистор полевой N-канальный 25В 5.8А 1.25Вт
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT23-3
IRFP044NPBF
Транзистор полевой N-канальный 55В 53A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 53A
Сопротивление открытого канала: 20 мОм
Мощность макс.: 120Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 61нКл
Входная емкость: 1500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP048PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP054PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 4500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP064PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70А 300Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 70A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 7400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP064VPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 130 А, 250Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
IRFP140NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А, 140Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 52 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 94нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP140PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 31A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 77 мОм
Мощность макс.: 180Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 72нКл
Входная емкость: 1700пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP150MPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 42A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP150PBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 41A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 41A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 2800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP17N50LPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 220Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 130нКл
Входная емкость: 2760пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP21N60LPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 320 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 4000пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP22N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 22А 277Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 277Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 120нКл
Входная емкость: 3450пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP22N60KPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 22А 370Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3570пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP23N50LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 23А 277Вт, 0.23 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 235 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP240PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.