Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFP240PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20А 150Вт, 0.18 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP244PBF
Транзистор полевой N-канальный 250В 15A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP250MPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 214Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 123нКл
Входная емкость: 2159пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP250PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 85 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 2800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP254NPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 250В 23А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
IRFP254PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 23A TO-247AC
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 23A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 140 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 140нКл @ 10В
Входная емкость: 2700пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IRFP260PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 46А 280Вт, 0.055 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 280Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 230нКл
Входная емкость: 5200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP264PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 250В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 280Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 210нКл
Входная емкость: 5400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP26N60LPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 250 мОм
Мощность макс.: 470Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 5020пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP27N60KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 27А 500Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 500Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 4660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP31N50LPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 460Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 210нКл
Входная емкость: 5000пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP32N50KPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 32A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 460Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 190нКл
Входная емкость: 5280пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP340PBF
Транзистор полевой N-канальный 400В 11А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
IRFP350LCPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 16 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP350PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 16А 190Вт, 0.3 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 300 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP360LCPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 280Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 3400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP360PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 23A
Сопротивление открытого канала: 200 мОм
Мощность макс.: 280Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 210нКл
Входная емкость: 4500пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP4137PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 38А 341Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 341Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 125нКл
Входная емкость: 5168пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP4242PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 300В 46А 430Вт (Replacement: IRFB4137PBF)
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 300В
Ток стока макс.: 46A
Сопротивление открытого канала: 59 мОм
Мощность макс.: 430Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 247нКл
Входная емкость: 7370пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFP440PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.8A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.8A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7128 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.