Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6838)
Акция IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI840GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.6А 40Вт, 0.85 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9520GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9530GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 7.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.7A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9630GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 4.3A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFI9634GPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 4.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9Z34GPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB41N15DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 41 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 41A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2520пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB5N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 5.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1417пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIB7N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIBC30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.5A Производитель: Vishay Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 660пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBC40GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.5А 40Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIBE20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 530пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBE30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2.1A Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBF20GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 1.2 А, 30 Вт, 8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIBF30GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.9А 35Вт, 3.7 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3.7 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ24GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6916 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"