Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19531KCS Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 7.7 мОм Мощность макс.: 179Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 3870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19535KCS Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 101нКл Входная емкость: 7930пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD19536KCS Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В Заряд затвора: 153нКл Входная емкость: 12000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD23202W10 Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: DSBGA4 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 53 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 512пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD23203WT Полевой транзистор P-канальный 8В 3A 6DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: 6-DSBGA Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм @ 1.5А, 4.5В Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 250 µA Заряд затвора: 6.3нКл @ 4.5В Входная емкость: 914пФ @ 4В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD23381F4 Полевой транзистор P-канальный 12В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 1.14нКл @ 4.5В Входная емкость: 236пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25310Q2 Транзистор полевой P-канальный 20В 20A 6-Pin WSON EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 23.9 мОм Мощность макс.: 2.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 4.7нКл Входная емкость: 655пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25402Q3A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.15В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD25483F4 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.6A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 205 мОм @ 500mА, 8В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 0.959нКл @ 4.5В Входная емкость: 198пФ @ 10В

Сообщить о поступлении

CSD25483F4T Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 205 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 0.96нКл Входная емкость: 198пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG1012T-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.63A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG1012UW-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG1013T-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 270мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG1013UW-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.82A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 820мА Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG2301U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"