Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (575)
SIHFRC20TR-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
SIHG22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG35N60EF-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 32 А, 250 Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 32А Сопротивление открытого канала: 0.084Ом Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SIHG47N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 220нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG73N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 73 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 362нКл Входная емкость: 7700пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP12N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 12A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP15N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 15A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP22N60E-GE3 Транзистор полевой N-канальный 600В 21A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP7N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 680пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA15N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPB11N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPD04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5А Тип транзистора: N-канальный
SPP15N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPP15N60CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13.4А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPU02N60C3BKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.8А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"