Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

Акция

IRF530SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF540NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A(Tc) Сопротивление открытого канала: 44 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 71нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт, 0.052 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 213 шт

Цена от:

от 30,95₽

IRF540NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 213 шт

Цена от:

от 36,84₽

IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10.3A(Ta),60A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 10.3А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.8В @ 150 µA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 2210пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta),47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 8.2А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 31нКл @ 10В Входная емкость: 1360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

49 шт

Цена от:

от 275,47₽

Акция

IRF7473PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7473TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5.4 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7490TRPBF Полевой транзистор N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 343 шт

Цена от:

от 72,09₽

IRF7853PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 048 шт

Цена от:

от 60,25₽

Акция

IRF8010SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8010STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 260Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 3830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9510PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4А 20Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9510SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 4A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"