Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (749)

IRF1010EZSTRLP Полевой транзистор N-канальный 60В 84A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF1018ESPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 79A Сопротивление открытого канала: 8.4 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

534 шт

Цена от:

от 122,00₽

IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MN Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2120пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7478PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1740пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

383 шт.

Цена от:

от 93,62₽

Акция

IRF7855PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 393 шт

Цена от:

от 86,07₽

IRF9Z14PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z14SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6.7A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z14STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 6.7 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z24PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z24SPBF Транзистор полевой P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z24STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 11A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z34PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18А 88Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9Z34SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9Z34STRRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 18A 3,7Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18А Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB3006GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 8970пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB3206GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 170нКл @ 10В Входная емкость: 6540пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7546PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.3 мОм Мощность макс.: 99Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 87нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD024PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"