Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6838)

Акция

IRFD220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: HVMDIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD224PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 630мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD320PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 490мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 410пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD420PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 370мА, 1Вт Производитель: Vishay Корпус: HVM DIP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 370мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9010PBF Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 1.1 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9014PBF Транзистор полевой P-канальный 60В 1.1А 1.3Вт Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.1A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9020PBF Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 1.6 А Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9024PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.3Вт, 0.28 Ом Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9110PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 700мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.7нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9120PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFD9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.4А 1.3Вт, 3.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFD9220PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.56А 1.3Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 560мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFDC20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 320мА Производитель: Vishay Корпус: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFH3702TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.1 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH3707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A(Ta),29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA Заряд затвора: 8.1нКл @ 4.5В Входная емкость: 755пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH4210DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 44A 8PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 44A(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.10 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 100 µA Заряд затвора: 77нКл @ 10В Входная емкость: 4812пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH4253DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 64A/145A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 64A,145A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 30А, 10В Мощность макс.: 31Вт, 50Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5053TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.3A PQFN56 Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.3A(Ta),46A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9.3А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 36нКл @ 10В Входная емкость: 1510пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"