Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFB9N60APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.2А 170Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9.2A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1400пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFB9N65APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 930 мОм
Мощность макс.: 167Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1417пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBA1405PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 174A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA)
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 174A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 260нКл
Входная емкость: 5480пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBA90N20D
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 98 А, 650 Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 98A
Мощность макс.: 650Вт
Тип транзистора: N-канал
IRFBA90N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SUPER-220[тм] (TO-273AA)
IRFBC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC20SPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC20STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 4.4 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30ASPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30ASTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.6A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 23нКл
Входная емкость: 510пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.6А 74Вт, 2.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 74Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC30SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC30STRLPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40ASPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40ASTRRPBF
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.2A
Производитель: Vishay
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 42нКл
Входная емкость: 1036пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFBC40LCPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFBC40PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.2А 125Вт, 1.2 Ом
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1300пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.69825 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.